SANTA CLARA - Trong ngành công nghiệp bán dẫn không ngừng phát triển, Giám đốc điều hành Intel (NASDAQ:INTC) Pat Gelsinger đã chỉ ra rằng nút quy trình sắp tới của công ty có thể vượt qua hiệu suất của các chip trong tương lai từ đối thủ Công ty Sản xuất Chất bán dẫn Đài Loan (TSMC). Khi cả hai gã khổng lồ công nghệ chạy đua hướng tới việc tinh chỉnh các nút bán dẫn nhỏ hơn, họ đứng đầu trong đổi mới với kế hoạch sản xuất hàng loạt chip tiên tiến trong những năm tới.
Intel đang chuẩn bị giới thiệu các công nghệ mới, bao gồm kiến trúc RibbonFET, như một phần trong chiến lược thúc đẩy sản xuất chất bán dẫn. Công ty đang nhắm đến cột mốc cuối năm 2024 để ra mắt công nghệ bán dẫn mới này. RibbonFET là kiến trúc bóng bán dẫn mới đầu tiên của Intel kể từ khi giới thiệu FinFET vào năm 2011 và nó hứa hẹn những cải tiến đáng kể về hiệu suất và hiệu quả của bóng bán dẫn.
Ở phía bên kia của cuộc thi, TSMC đã đưa ra lộ trình của mình, với ý định sản xuất hàng loạt nút N3P vào cuối năm 2024. Hơn nữa, TSMC dự kiến phát triển nút N2 vào năm 2025. Những tiến bộ này đại diện cho các bước quan trọng đối với TSMC khi họ tiếp tục đẩy ranh giới về hiệu suất chip và hiệu quả năng lượng.
Bài viết này được tạo và dịch với sự hỗ trợ của AI và đã được biên tập viên xem xét. Để biết thêm thông tin, hãy xem Điều Kiện & Điều Khoản của chúng tôi.