Navitas tại Hội nghị Thượng đỉnh Rosenblatt: Tập trung vào Trung tâm Dữ liệu AI

Vào thứ Tư, ngày 11 tháng 6 năm 2025, Navitas Semiconductor Corp (NASDAQ:NVTS) đã có bài thuyết trình tại Hội nghị Thượng đỉnh Công nghệ Thường niên lần thứ 5 của Rosenblatt - Kỷ nguyên AI 2025. Công ty nhấn mạnh chiến lược chuyển hướng sang trung tâm dữ liệu AI, được thúc đẩy bởi nhu cầu năng lượng ngày càng tăng của các GPU mới. Mặc dù Navitas đã thể hiện những tiến bộ công nghệ mạnh mẽ, công ty cũng thừa nhận lộ trình áp dụng các giải pháp của mình sẽ diễn ra từng bước.

Những Điểm Chính

• Navitas đang ưu tiên phát triển trung tâm dữ liệu AI, tập trung vào công nghệ gallium nitride (GaN) và silicon carbide (SiC) để đáp ứng nhu cầu năng lượng ngày càng tăng.
• Công ty đã đạt được sự gia tăng đáng kể về mật độ nguồn điện, cung cấp nguồn điện 12kW trong cùng một kích thước với nguồn điện cũ 1kW dựa trên silicon.
• Navitas đang hợp tác với các công ty công nghệ lớn như AWS, Google, và Microsoft, đồng thời khám phá cơ hội với Tesla cho thị trường năng lượng mặt trời và xe điện.
• Quá trình chuyển đổi sang trung tâm dữ liệu điện áp cao hơn, bao gồm kiến trúc 800V, đang được triển khai, với dự kiến áp dụng vào khoảng năm 2027.
• Cổ phiếu của Navitas đã tăng 125% từ đầu năm đến nay, với tổng thị trường tiềm năng (TAM) cho các giải pháp trung tâm dữ liệu ước tính có thể đạt hàng tỷ đô la trong những năm tới.

Kết Quả Tài Chính

• Cổ phiếu của Navitas đã tăng 125% kể từ đầu năm.
• Công ty đã huy động được 300 triệu đô la thông qua IPO để mở rộng sang các ứng dụng công suất cao hơn.
• TAM cho các giải pháp trung tâm dữ liệu được dự báo ở mức 5-10 triệu đô la cho mỗi gigawatt điện năng được cung cấp cho mỗi giai đoạn chuyển đổi điện, có khả năng đạt hàng trăm triệu hoặc thậm chí là một tỷ đô la.

Cập Nhật Hoạt Động

• Navitas đã phát triển nguồn điện 12kW, đánh dấu mức tăng 166% so với cùng kỳ năm ngoái.
• Công ty sử dụng SiC cho các giai đoạn điều chỉnh hệ số công suất và GaN cho các giai đoạn khác trong hệ thống điện.
• Thuật toán điều khiển Intelliweave nâng cao hiệu suất năng lượng lên đến 30%.
• Navitas đang phát triển SiC siêu cao áp (lên đến 6.500 volt) và công nghệ GaN 850V, đồng thời mở rộng sang các ứng dụng điện áp thấp hơn.
• Hợp tác với TSMC và XFab hỗ trợ mô hình fab-light của Navitas, giảm chi phí và nâng cao hiệu quả chuỗi cung ứng.

Triển Vọng Tương Lai

• Navitas có kế hoạch nhắm đến trung tâm dữ liệu 48V trong giai đoạn 2025-2026 và trung tâm dữ liệu 800V vào khoảng năm 2027, phù hợp với bộ xử lý Rubin của NVIDIA.
• Công ty đang mở rộng ra khỏi lĩnh vực sạc di động sang thị trường năng lượng mặt trời và xe điện, với khả năng hợp tác với Tesla.
• Navitas đang tham gia vào Dự án Máy tính Mở (OCP) để đảm bảo phù hợp với các tiêu chuẩn ngành.

Điểm Nổi Bật trong Phần Hỏi Đáp

• Sự chuyển đổi sang trung tâm dữ liệu 800V được thúc đẩy bởi nỗ lực của NVIDIA nhằm giảm tổn thất dòng điện và phân phối điện, đòi hỏi thiết kế nguồn điện mới.
• Navitas tạo sự khác biệt với các IC GaN có tích hợp đơn khối và tập trung vào các ứng dụng GaN công suất cao.
• Lộ trình phát triển cho kiến trúc trung tâm dữ liệu mới, như 800V, thường kéo dài hơn 24 tháng.

Để hiểu đầy đủ về định hướng chiến lược và tiến bộ công nghệ của Navitas, độc giả được khuyến khích xem xét toàn bộ bản ghi chép dưới đây.

Bài viết này được tạo và dịch với sự hỗ trợ của AI và đã được biên tập viên xem xét. Để biết thêm thông tin, hãy xem Điều Kiện & Điều Khoản của chúng tôi.